ICPECVD depoziční aparatura SI 500 D

Plazmochemická depozice za nízkých teplot

Aparatura SI 500 D reprezentuje špičkovou technologii pro plazmochemickou depozici (PECVD – plasma enhanced chemical vapor deposition) dielektrických vrstev, a-Si, SiC a dalších materiálů. Je založena na unikátním ICP zdroji plazmatu PTSA (Planar Triple Spiral Antenna) firmy SENTECH, který generuje homogenní plazma s vysokou hustotou, malou energií a úzkým energiovým rozdělením iontů. Rovněž zajišťuje vysokou efektivitu přenosu energie a velmi dobré zapalování výboje.

Dynamická teplotní kontrola substrátové elektrody s podfukováním heliem zajišťuje dobře definované a stabilní podmínky od pokojové teploty až do +350 °C. Vakuová zakládačka (load lock) podporuje substráty a wafery do průměru až 200 mm. SI 500 D disponuje plně kontrolovaným vakuovým systémem a uživatelsky přívětivým grafickým ovládacím rozhraním. Flexibilita a modularita jsou základní charakteristiky designu SI 500 D.

Díky unikátnímu zdroji plazmatu a nízké teplotě depozice lze v SI 500 D připravit tenké s výbornými vlastnostmi – vysoké průrazné napětí, nízká leptací rychlost, nízké mechanické pnutí, velmi nízká hustota stavů rozhraní – a bez poškození substrátu. SI 500 D je zejména vhodný pro depozice ochranných, pasivačních a bariérových vrstev za nízkých a přesně definovaných teplot. Jsou dostupná řešení pro depozice z plynných i kapalných prekurzorů.

SENTECH nabízí různé stupně automatizace od jedné vakuové zakládačky po cluster s až šesti porty s různými leptacími a depozičními moduly. Také SI 500 D se nabízí jako modul pro leptací procesy do klastrových konfigurací.