ICP RIE leptací aparatura SI 500

High-end ICP leptání i pro nejnáročnější procesy

Aparatura SI 500 reprezentuje špičkovou technologii pro leptání induktivně vázanou plazmou (ICP – inductive coupled plasma). Je založena na unikátním ICP zdroji plazmatu PTSA (Planar Triple Spiral Antenna) firmy SENTECH, který generuje homogenní plazma s vysokou hustotou, malou energií a úzkým energiovým rozdělením iontů. Rovněž zajišťuje vysokou efektivitu přenosu energie a velmi dobré zapalování výbojů pro leptání velké škály materiálů a struktur.

Dynamická teplotní kontrola substrátové elektrody s podfukováním heliem zajišťuje dobře definované podmínky nutné pro opakovatelné a kvalitní leptání. Teplotu lze měnit v rozsahu -150 °C až +400 °C. Vakuová zakládačka (load lock) podporuje substráty a wafery do průměru až 200 mm. SI 500 disponuje plně kontrolovaným vakuovým systémem a uživatelsky přívětivým grafickým ovládacím rozhraním. Flexibilita a modularita jsou základní charakteristiky designu SI 500.

Díky svým vlastnostem lze v SI 500 provádět různorodé procesy jako je leptání s malým poškozením substrátu, ale i rychlé leptání křemíku pro MEMS za pokojové teploty střídavým procesem, nebo kryogenně. SI 500 může být konfigurován pro leptání široké škály materiálů včetně III-V polovodičů (GaAs, InP, GaN, InSb), dielektrik, křemene, skla, křemíku a jeho sloučenin (SiC, SiGe), kovů a dalších.

SENTECH nabízí různé stupně automatizace od jedné vakuové zakládačky po cluster s až šesti porty s různými leptacími a depozičními moduly. Také SI 500 se nabízí jako modul pro leptací procesy do klastrových konfigurací.